Name: Vishay Siliconix SI6410DQ-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6410DQ-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI6410DQ-T1-E3

Artikelnummer:

SI6410DQ-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 8TSSOP

Datenblätte:

1.SI6410DQ-T1-E3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf

Umweltinformationen
Material Compliance.pdf

Datenblätter
Si6410DQ.pdf

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ECAD -Modell:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI6410DQ-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI6410DQ-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-TSSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 7.8A, 10V
Verlustleistung (max)	1.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.8A (Ta)
Grundproduktnummer	SI6410
SI6410DQ-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI6410DQ-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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